La memoria HBM2 fue implementada por primera vez en las tarjetas gráficas Radeon VEGA de AMD durante el 2017, reemplazando de esta forma al GDDR5. Sabíamos que Samsung estaba trabajando en una nueva generación de esta tecnología y el anuncio oficial se ha realizado en el día de hoy.
HBM2 de segunda generación ofrecerá un ancho de banda 9.6 mayor que GDDR5
Samsung ya está trabajando en la segunda generación de memorias HBM2, que ofrecerán un aumento del ancho de banda hasta los 307 GB/s en módulos de 8GB. La implementación de esta nueva memoria permitirá un aumento de rendimiento en torno al 50% con respecto a la primera generación HBM2
Las nuevas memorias podrán funcionar a una velocidad de 2.4 Gbps con un voltaje necesario de solo 1.2 voltios. En comparación, la ‘antigua’ memoria HBM2 podía ofrecer una velocidad de 2.0 Gbps, pero con 1.35 voltios.
Con estas mejoras, un único paquete de memoria de 8GB HBM2 ofrecerá un ancho de banda de datos de 307 gigabytes por segundo (GBps), logrando una transmisión de datos 9.6 veces más rápida que un chip GDDR5 de 8GB, que proporciona un ancho de banda de datos de 32 GBps.
Para lograr este rendimiento sin precedentes, Samsung ha aplicado nuevas tecnologías relacionadas con el diseño TSV y el control térmico. Además, Samsung añadió una capa protectora en la parte inferior de cada módulo de memoria para mejorar su resistencia a la hora de implementarlo en cualquier producto.
Con el comienzo de la producción en masa, es posible que comencemos a ver estas memorias en la nueva generación de tarjetas gráficas VEGA en su paso a los 7 nm.
