Samsung lanza su Z-SSD de 800GB basado en Z-NAND. En los últimos años las debilidades de la memoria NAND estándar son evidentes, ya sea por su alta latencia o por su durabilidad. Si bien estos problemas no perjudicarán el rendimiento de las cargas de trabajo cotidianas, el mercado de servidores basados en datos necesita unidades con baja latencia. Las memorias Z-NAND, propiedad de Samsung, tienen ese objetivo en mente.
Z-NAND puede ser 10 veces mas rápido que el V-NAND
La respuesta a esto para algunos es el uso de un gran banco de memoria RAM para crear un RAMDISK, una pieza volátil de almacenamiento que puede ser leída y reescrita rápidamente, aunque surgen problemas cuando un sistema se apaga, ya que los datos no pueden ser retenidos en este medio de almacenamiento. La industria necesitaba una solución a este problema que no sea volátil, como los Intel Optane y Samsung Z-NAND.
El Z-NAND de Samsung está diseñado para ofrecer alrededor de diez veces más rendimiento de lectura que el V-NAND, mientras que también proporciona latencias que son alrededor de cinco veces más bajas. Estos cambios permiten a estas memorias de Sasmung ofrecer velocidades de lectura/escritura más rápidas que los SSD estándar basados en NAND.
El SZ985 será la primera unidad SSD Z-NAND de Samsung, con la compañia coreana bautizando este nuevo dispositivo como una unidad Z-SSD, con su modelo de 800GB que ofrece 1.7 veces más velocidad de lectura aleatoria que su PM963 existente con 750K IOPS.
Samsung planea mostrar las bondades de su nueva unidad Z-NAND en el International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) en San Francisco, que se llevará a cabo entre el 11 y el 15 de febrero.
