En el Samsung Foundry Forum 2018, el gigante de los semiconductores ha revelado una serie de nuevas mejoras en la tecnología de procesos dirigidas a dispositivos informáticos y dispositivos conectados de alto rendimiento, que tienen que ver con los saltos a los procesos de 7, 5 y 3 nm, más el abandono de la tecnología de transistores FinFet.
La tecnología FinFet de Samsung seguirá utilizándose hasta 2021
La nueva hoja de ruta de Samsung se centra en proporcionar a sus clientes sistemas más eficientes desde el punto de vista energético para dispositivos de sistema en chip dirigidos a una amplia variedad de industrias.
La siguiente tecnología de proceso que llegará de Samsung es la ‘Low Power Plus’ de 7 nm basada en la litografía EUV. La solución 7LPP de Samsung entrará en producción durante la segunda mitad de este año y se ampliará durante la primera mitad de 2019.
Luego, el paso será hacia los 5nm ‘Low Power Early’, que será una versión reducida de 7LPP con cifras de consumo de energía mejoradas. Después de los 5 nm, Samsung apunta hacia 4 nm, que significaría una versión mejorada de los 5 nm. El proceso de 4 nm marca el fin de la tecnología FinFet.
Por último, Samsung adelanta la llegada de los 3nm ‘Gate-All-Around Early/Plus’. Este utilizará un nuevo tipo de transistor que resolverá los problemas de incrustaciones físicas con los FinFET. Samsung está llamando a sus dispositivos Gate-All-Around MBCFETs, o más bien Multi-Bridge-Channel FETs.
[irp]Se espera que el paso a los 3 nm tenga vigencia a partir del año 2022, según la hoja de ruta de la compañía asiática.
